Texas Instruments CSD18534Q5A — одиночный N-канальный силовой NexFET MOSFET для преобразования питания в 8-выводном корпусе SON 5 × 6 mm.

Основные параметры Абсолютный максимум напряжения сток–исток: 60 V. RDS(on) при VGS = 10 V: типовое 7.8 mΩ, максимальное 9.8 mΩ. RDS(on) при VGS = 4.5 V: типовое 9.9 mΩ, максимальное 12.4 mΩ. Условия значений сопротивления: ID = 14 A, TA = 25°C. Полный заряд затвора: типовое 17 nC при VGS = 10 V, VDS = 30 V, ID = 14 A и TA = 25°C. Обозначение корпуса: VSONP (DQJ), 8 выводов; класс SON 5 × 6 mm.

Применение DC/DC-преобразователи, синхронное выпрямление вторичной стороны, первичная коммутация изолированных преобразователей и управление двигателями.

Выбор Пороговое напряжение затвора не означает полного открытия. До выбора тока нагрузки проверьте драйвер, область безопасной работы и тепловую конструкцию платы. Ток зависит от охлаждения и рабочих условий. Абсолютные максимумы не являются рекомендуемыми рабочими точками. Посадочное место, распиновку и подробные ограничения смотрите в документации TI.

Перед заказом подтвердите у HONGTE код даты, упаковку, наличие и доставку.