Infineon IPDQ65R008CM8 — N-канальный силовой superjunction MOSFET на 650 V из семейства CoolMOS CM8. Корпус поверхностного монтажа Q-DPAK (PG-HDSOP-22) поддерживает охлаждение с верхней стороны и отдельное подключение истока для драйвера.

Основные характеристики Напряжение пробоя сток–исток: не менее 650 V при VGS = 0 V и ID = 1 mA. RDS(on): не более 8 mΩ при VGS = 10 V, ID = 125 A и Tj = 25°C. Встроенный быстрый обратный диод и технология соединений .XT. Рабочая температура перехода: −55°C…+150°C; для расширенных режимов действуют ограничения документации.

Типичные области проектирования — импульсные источники питания, PFC-каскады и резонансные LLC-преобразователи в системах питания центров обработки данных и телекоммуникаций. Подбирайте драйвер затвора, охлаждение и рабочие условия по официальной документации и области безопасной работы.

Предоставленная основная фотография показывает изделия с маркировкой 65R008C8 в несущей ленте. Информационные изображения иллюстрируют технические особенности и не являются дополнительными фотографиями складской партии. Код даты, прослеживаемость партии, количество в упаковке и сроки поставки необходимо подтвердить перед заказом. Цена и наличие берутся из текущего выбранного SKU.